SK하이닉스, 차세대 ‘와이드 IO2 모바일 D램’ 업계 최초 개발

SK하이닉스, 차세대 ‘와이드 IO2 모바일 D램’ 업계 최초 개발

2014-09-03 10:11:00 입력 | 2014-09-03 10:11:00 수정

▲ SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 차세대 ‘와이드 IO2 모바일 D램’

SK하이닉스(www.skhynix.com, 대표이사: 박성욱)가 업계 최초로 고성능 와이드 IO2 모바일 D램(이하, 와이드 IO2)을 개발하는데 성공했다고 3일(水) 밝혔다.

 

이번에 개발한 와이드 IO2는 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류로 20나노급 공정을 적용한 8Gb(기가비트) 용량의 제품이다. 특히, LPDDR4와 같은 1.1V 동작전압에서 저전력 특성을 강화했으며, 정보입출구(I/O)의 수를 대폭 늘려 데이터 처리속도를 높인 것이 특징이다.

    

기존 LPDDR4는 3200Mbps 속도로 동작해 32개의 정보입출구로 초당 12.8GB(기가바이트)의 데이터 처리가 가능하다. 반면 와이드 IO2는 하나의 정보입출구에서 800Mbps의 속도로 동작하지만 512개의 정보출입구로 초당 51.2GB의 데이터를 처리 할 수 있다. 초당 처리 용량은 기존 LPDDR4 보다 4배 빠른 것으로 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능이다.

      

한편, D램은 DDR 제품을 기반으로 진화를 계속해 왔으나, 최근에는 고성능을 요구하는 고객의 수요에 맞춰 HBM(High Bandwidth Memory) 및 와이드 IO2 등과 같은 새로운 형태로도 발전을 계속하고 있다.

     

SK하이닉스는 현재 주요 SoC(System on Chip) 업체에 샘플을 공급했으며, 내년 하반기부터 양산에 나서 고성능 모바일 D램 시장 공략을 강화한다는 계획이다. 고객사에서는 와이드 IO2와 함께 SoC를 탑재해 한 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 시장에 최종 공급할 예정이다.

      

SK하이닉스 Mobile개발본부장 김진국 상무는 “와이드 IO2 제품을 통해 확대되는 고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것”이라고 말하며, “향후에도 지속적으로 고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보해 나가겠다”고 밝혔다.

     

한편, SK하이닉스는 작년 12월과 올해 4월에 업계 최초로 TSV 기술 기반의 HBM과 128GB 서버용 모듈을 개발해 고객과 상품화를 진행 중에 있으며, 이번에는 TSV 기술 적용이 가능한 와이드 IO2 제품 개발도 완료해 TSV 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것으로 기대했다.

 

◆ SoC(System on Chip)

- 연산, 제어 등 여러 가지 기능을 가진 시스템을 하나의 칩 속에 구성한 반도체 

◆ SiP(System in Package)

- 한 패키지를 메모리, SOC 등 여러 개의 칩으로 구성해 하나의 시스템을 구현한 것 

◆ TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극)

- 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를

전달하는 첨단 패키지 방식으로 성능은 높이면서 크기를 줄임 

◆ HBM(High Bandwidth Memory 

- TSV 기술을 활용해 D램을 적층한 초고속 메모리 

◆ JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)

- 반도체 분야 표준화기구로 반도체기기의 규격을 규정